Транзистор 2SC2837

Транзистор 2SC2837

Артикул: 275344

Корпус TO-3P
Вес 6 г
Si-N, 150V, 10A, 100W, 35MHz

10,20 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275344
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SD1391
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1391

304279
9,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
View
Транзистор КТ853Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ853Г

259797
1,67 BYN
Транзисторы КТ853Г кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
View
Транзистор FTP18N06 to220
Полевые транзисторы

Транзистор FTP18N06 to220

293125
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 59 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 61 ns Выходная емкость (Cd): 420 pf...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC4458
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4458

304031
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор SGH40N60UFD
Биполярные транзисторы

Транзистор SGH40N60UFD

311731
27,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 50 Тип корпуса: TO3P
View
Транзистор 2SC3738
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3738

312493
39,20 BYN
Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
View
Транзистор BSR16 sot23
Биполярные транзисторы

Транзистор BSR16 sot23

293082
0,80 BYN
Маркировка: T8_T8p_T8t Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.425 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота...
View
Транзистор 2SC3619
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3619

275387
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
View
Транзистор 2SB1237
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1237

303137
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 185...
View
Транзистор 2SD2439A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2439A

304542
22,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор D2102
Биполярные транзисторы

Транзистор D2102

275646
3,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC1688
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1688

303501
13,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC1312
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1312

275287
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор SS8050D
Биполярные транзисторы

Транзистор SS8050D

312635
0,52 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 300 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.