Транзистор BUV48A

Транзистор BUV48A

Артикул: 275276

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5

TO247AB

13,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275276
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 7N60B
Полевые транзисторы

Транзистор 7N60B

276088
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 115 pf...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор KTA1266Y
Биполярные транзисторы

Транзистор KTA1266Y

311604
0,40 BYN
Наименование производителя: KTA1266 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70 Корпус транзистора: TO92
View
Транзистор 2SB897
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB897

275095
30,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC4891
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4891

292880
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3832
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3832

312495
8,00 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 500 В Напряжение эмиттер-база, не более: 10 V Ток коллектора, не более: 7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 10 до 30 Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц Корпус: TO-220
View
Транзистор BSP52T1G
Биполярные транзисторы

Транзистор BSP52T1G

303807
0,40 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 90 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 Корпус: SOT-223
View
Транзистор D1450
Биполярные транзисторы

Транзистор D1450

275599
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400 SC72
View
Транзистор 2SC3678
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3678

303783
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC5252
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5252

312508
17,60 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В Напряжение коллектор-база, не более: 1500 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффициент усиления
View
Транзистор 2SC900
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC900

304204
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3074-Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3074-Y

303658
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC3779
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3779

303789
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BSP373 sot223
Биполярные транзисторы

Транзистор BSP373 sot223

293080
6,80 BYN
Маркировка: BSP373 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.7 A Максимальная температура канала (Tj):...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.