Транзистор BU4530AW

Транзистор BU4530AW

Артикул: 275242

NPN hi-res, 1500V, 16A, 125W, Tf<250nS

10,00 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275242
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема К157УН1А
Микросхемы отечественные

Микросхема К157УН1А

292856
9,52 BYN
Микросхемы представляют собой трехкаскадные предварительные усилители низкой частоты. Предназначены для применения в радиоприемниках. Содержат 23 интегральных элемента. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г. Назначение выводов: 1 — обратная связь; 2 — регулировка усиления; 3 — вход; 4 — общий; 5 — смещение; 6 — коррекция; 7 — выход; 9 — питание (+U...
Микросхема TNY268GN DIP7SMD
Микросхемы импортные

Микросхема TNY268GN DIP7SMD

274712
21,00 BYN
TNY268GN представляет собой импульсный преобразователь (AC/DC) от компании Power Integrations. Микросхема снабжена всеми необходимыми узлами для управления 700V силовым MOSFET транзистором. В стандартный функциональный интегрированный набор входят: импульсный источник тока, схема ограничения тока, схема отключения по температуре. Управление и запуск...
Транзистор J377
Полевые транзисторы

Транзистор J377

276551
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SA812 (M6)-T1B pnp 50V 100mAh21E=200...400...
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA812 (M6)-T1B pnp 50V 100mAh21E=200...400 SOT-23

303065
0,52 BYN
Маркировка: M4_M5_M6_M7 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная...
Транзистор 2SC5884
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5884

275555
17,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz...
Транзистор 2SC2688 to126
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2688 to126

264747
1,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA684 TO92L
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA684 TO92L

260036
2,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125...
Транзистор 2SA1244 TO251
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1244 TO251

312441
8,00 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 120 до 240 Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц Корпус: TO-252
Транзистор 2SC3347 TO220
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3347 TO220

303763
23,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2200 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Транзистор 2SC3503 Y TO126F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3503 Y TO126F

264762
7,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BSP62
Биполярные транзисторы

Транзистор BSP62

303808
0,40 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -90 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц Корпус: SOT-223
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.