Транзистор BU2720DX

Транзистор BU2720DX

Артикул: 275232

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников. SOT399

7,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275232
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор BUT11A orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BUT11A orig

275270
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор AO4421
Полевые транзисторы

Транзистор AO4421

276142
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 15030
Биполярные транзисторы

Транзистор 15030

274935
4,44 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB966
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB966

303268
30,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA1293
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1293

302919
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC5706
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5706

264645
2,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC2837
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2837

303637
20,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz...
View
Транзистор 2PG006
Биполярные транзисторы

Транзистор 2PG006

311636
22,40 BYN
Наименование: 2PG006 Маркировка: DG402RP Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.75 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная...
View
Транзистор 2SA1012
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1012

292792
2,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125...
View
Транзистор 2SD1133
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1133

304250
9,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор BSR16 sot23
Биполярные транзисторы

Транзистор BSR16 sot23

293082
0,80 BYN
Маркировка: T8_T8p_T8t Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.425 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота...
View
Транзистор 2SA984 (F,K)
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA984 (F,K)

264656
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC4308
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4308

275420
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2500 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30 TO92
View
Транзистор 2SC3997
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3997

275405
11,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор NJW0281G to3p
Биполярные транзисторы

Транзистор NJW0281G to3p

293330
42,40 BYN
Наименование производителя: NJW0281G Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.