Транзистор BC637

Транзистор BC637

Артикул: 275114

Корпус TO-92
Вес 0,4 г
NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz

0,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275114
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор IRFR010
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR010

293282
5,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SD1541
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1541

304324
19,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC4834
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4834

264775
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Граничная частота коэффициента передачи...
View
Транзистор TIP125
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP125

293431
4,80 BYN
Наименование производителя: TIP125 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная...
View
Транзистор TIP106
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP106

275802
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC5298
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5298

304122
17,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BU2508AX orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2508AX orig

275213
9,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор SGT40N60NPFD
Биполярные транзисторы

Транзистор SGT40N60NPFD

311732
31,00 BYN
мощные БТИЗ (IGBT) транзисторы в корпусе TO-3P производства компании Silan Microelectronics. Используют технологию Field Stop IGBT, обеспечивают оптимальную производительность. Применяются в сварочных инверторах китайского производства, аппаратах индукционного нагрева, импульсных источниках питания, в блоках коррекции коэффициента мощности
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.