Транзистор A1286

Транзистор A1286

Артикул: 274989

Корпус TO-92mod
Вес 0,7 г
Si-P, 30V, 1,5A, 0,9W, B>400

1,96 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
274989
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SC2320
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2320

303605
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SA1726
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1726

303028
18,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160 Корпус...
View
Транзистор 2SC945
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC945

264679
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор MMBF5484
Биполярные транзисторы

Транзистор MMBF5484

275732
0,20 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.005 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 2 pf SOT23
View
Транзистор 2SC3886A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3886A

275400
8,24 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BC308B
Биполярные транзисторы

Транзистор BC308B

260099
1,06 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -30 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 180 до 460 Граничная частота коэффициента передачи...
View
Транзистор 2SD2438
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2438

304541
26,00 BYN
Маркировка: FN1016 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура...
View
Транзистор 2SD1063
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1063

312511
11,20 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 280 Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
View
Транзистор 2SA614
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA614

292813
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 180...
View
Транзистор 2SD1403
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1403

304300
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор KU608
Биполярные транзисторы

Транзистор KU608

275729
8,56 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz...
View
Транзистор 2SC4467
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4467

260165
13,20 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В Напряжение коллектор-база, не более: 120 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50 до 180 Граничная частота коэффициента передачи тока: 20...
View
Транзистор 2SA114
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA114

302875
1,20 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 34 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10...
View
Транзистор 2SD1175
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1175

304256
40,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80 Корпус транзистора: TO3
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.