Транзистор 11033G

Транзистор 11033G

Артикул: 274927

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

28,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
274927
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 52N15DPBF
Полевые транзисторы

Транзистор 52N15DPBF

276036
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 51 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC4004
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4004

303881
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
View
Транзистор D2560
Биполярные транзисторы

Транзистор D2560

275665
8,36 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор MPSA56
Биполярные транзисторы

Транзистор MPSA56

275752
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA1357
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1357

302961
4,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC3194
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3194

303680
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 550 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20 Корпус...
View
Транзистор 2SC1674
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1674

303499
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BU2506DX
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2506DX

312587
16,80 BYN
Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 47 pf Статический коэффициент...
View
Транзистор 2SD1654
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1654

304372
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1825
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1825

304392
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SA1400
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1400

302970
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40 Корпус транзистора: TO218
View
Транзистор 2SC3795A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3795A

275396
6,72 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 500 В Напряжение коллектор-база, не более: 900 В Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8 Граничная частота коэффициента передачи тока: 8 МГц TO220F
View
Транзистор 2SA992
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA992

280479
0,72 BYN
Характеристики транзистора 2SA992 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В Напряжение коллектор-база, не более: -120 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 800 Граничная частота...
View
Транзистор NGTB30N135IHRWG
Биполярные транзисторы

Транзистор NGTB30N135IHRWG

311728
50,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 197 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1350 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Емкость...
View
Транзистор D1565
Биполярные транзисторы

Транзистор D1565

275613
4,64 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8000 TO220
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.