Транзистор TIP122

Транзистор TIP122

Артикул: 259977

NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)

2,77 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259977
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор BD139-16 аналог КТ815Г
Биполярные транзисторы

Транзистор BD139-16 аналог КТ815Г

303739
0,96 BYN
труктура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 250 Корпус: TO-126
View
Транзистор КТ829АТ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ829АТ

301114
3,00 BYN
Транзисторы КТ829А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор BD681
Биполярные транзисторы

Транзистор BD681

275158
1,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BSP62
Биполярные транзисторы

Транзистор BSP62

303808
0,40 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -90 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц Корпус: SOT-223
View
Транзистор 2SC3675
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3675

303782
13,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3953
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3953

303507
1,36 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В Напряжение коллектор-база, не более: 120 В Напряжение эмиттер-база, не более: 3 V Ток коллектора, не более: 0.2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 8 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 400 МГц Корпус: TO-126F
View
Транзистор BC860 C/T1
Биполярные транзисторы

Транзистор BC860 C/T1

275128
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3964
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3964

303875
11,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор BC308A
Биполярные транзисторы

Транзистор BC308A

303661
0,12 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -30 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 120 до 220 Граничная частота коэффициента передачи тока: 130 МГц Корпус:...
View
Транзистор 2SC5124
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5124

304094
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Граничная частота коэффициента передачи...
View
Транзистор 9018
Биполярные транзисторы

Транзистор 9018

274961
0,80 BYN
( SOT23 )Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.315 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура...
View
Транзистор 2SB1132
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1132

303127
1,20 BYN
Маркировка: BAP_BAQ_BAR Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ829АТ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ829АТ

301114
3,00 BYN
Транзисторы КТ829А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Транзистор BD139-16 аналог КТ815Г
Биполярные транзисторы

Транзистор BD139-16 аналог КТ815Г

303739
0,96 BYN
труктура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 250 Корпус: TO-126
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.