Транзистор TIP122

Транзистор TIP122

Артикул: 259977

NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)

2,77 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259977
Новый товар

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор BD139-16 аналог КТ815Г
Биполярные транзисторы

Транзистор BD139-16 аналог КТ815Г

303739
0,96 BYN
труктура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 250 Корпус: TO-126
View
Транзистор КТ829АТ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ829АТ

301114
3,00 BYN
Транзисторы КТ829А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC2682-O
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2682-O

303624
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1863
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1863

304482
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
View
Транзистор 2SC2621
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2621

303621
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор PMBT3906
Биполярные транзисторы

Транзистор PMBT3906

311614
0,40 BYN
Наименование производителя: PMBT3906 Маркировка: 2A_p2A_t2A_W2A Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток...
View
Транзистор 2SA995
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA995

303086
16,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор 2SC3680
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3680

275392
9,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA1727
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1727

303029
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 280...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ829АТ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ829АТ

301114
3,00 BYN
Транзисторы КТ829А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Транзистор BD139-16 аналог КТ815Г
Биполярные транзисторы

Транзистор BD139-16 аналог КТ815Г

303739
0,96 BYN
труктура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 250 Корпус: TO-126
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.