Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5332

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5338

275472

7,84 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5339

304125

8,60 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Граничная частота коэффициента передачи...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5339

275473

8,56 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5343

304127

1,20 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5343

275474

0,20 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5344Y

304128

16,20 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5353

304130

7,60 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5353

275475

4,00 BYN

Корпус TO-220FВес 2,9 гNPN 800V, 3A, 25W, 80MHz

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5358

304131

19,40 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5358

275476

7,84 BYN

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 230 В Напряжение коллектор-база, не более: 230 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 55 до 160 Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц 2-16C1A

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5359

304132

98,00 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Показано 1117-1128 из 2628