Транзистор IRFD120

Транзистор IRFD120

Артикул: 264596

N-channel 100V,1.3A,Rds=0.27 Оm_Power mosfet

5,52 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
264596
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор AO4412
Полевые транзисторы

Транзистор AO4412

276136
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
2Д213Б-6
Диоды (разные)

2Д213Б-6

313454
0,16 BYN
Диоды 2Д213Б-6 кремниевые, диффузионные, бескорпусные.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Для обозначения типа используется условная маркировка цветным кодом.Диоды 2Д213А-6 отмечены одной цветной точкой, 2Д213Б-6 - двумя.Масса не более 0,8 г

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK537
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK537

304891
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 70 pf...
Транзистор AOD607
Полевые транзисторы

Транзистор AOD607

276173
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор AO4822
Полевые транзисторы

Транзистор AO4822

276162
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRF7204
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7204

276392
1,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор J557
Полевые транзисторы

Транзистор J557

276556
11,64 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор SUD50N024-09P dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор SUD50N024-09P dpak (to252)

293427
6,40 BYN
Наименование прибора: SUD50N024-09P Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 22 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 49 A Максимальная температура...
Транзистор IRF7406
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7406

259902
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 39.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm Тип корпуса: SO8
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.