Транзистор FQP13N50C

Транзистор FQP13N50C

Артикул: 302503

Труба MOS 

15,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
500 V
Номинальный Ток
13.0 A
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
480 mΩ
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
195 W
Напряжение Сток-исток (Vds)
500 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
500 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
13.0 A
Время Нарастания
100 ns
Входная емкость (Ciss)
2055pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
195 W
Время падения
100 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
195W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.67 mm
Ширина
4.7 mm
Высота
16.3 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302503

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H3N60 метал
Полевые транзисторы

Транзистор H3N60 метал

293193
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 50 pf...
Транзистор 7N60B
Полевые транзисторы

Транзистор 7N60B

276088
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 115 pf...
Транзистор K3683-01MR
Полевые транзисторы

Транзистор K3683-01MR

276633
11,24 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 97 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 19 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 34 nC Время нарастания (tr): 13...
Транзистор 8NA60
Полевые транзисторы

Транзистор 8NA60

276112
23,60 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CВыходная емкость (Cd): 1690 pfСопротивление сток-исток открытого...
Транзистор 2SK3564
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3564

304863
12,00 BYN
Маркировка: K3564 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор TK10A50D
Полевые транзисторы

Транзистор TK10A50D

266711
8,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AP9973M
Полевые транзисторы

Транзистор AP9973M

276236
6,00 BYN
Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор STQ1NK60ZR to-92
Полевые транзисторы

Транзистор STQ1NK60ZR to-92

302365
2,00 BYN
Серия SuperMESH™ получена благодаря экстремальной оптимизации хорошо зарекомендовавшей себя компоновки ST на основе полос PowerMESH™. В дополнение к значительному снижению сопротивления включению, особое внимание уделяется обеспечению очень хорошей возможности dv/dt для самых требовательных применений. Такая серия дополняет полный спектр высоковольтных...
Транзистор 88N30W
Полевые транзисторы

Транзистор 88N30W

276104
10,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 48 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Время нарастания (tr): 142...
Транзистор 59N25
Полевые транзисторы

Транзистор 59N25

276039
17,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 392 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 59 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRLR3705Z
Полевые транзисторы

Транзистор IRLR3705Z

282570
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 89 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор AOD486A
Полевые транзисторы

Транзистор AOD486A

293034
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор K2746
Полевые транзисторы

Транзистор K2746

276602
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Общий заряд затвора (Qg): 55 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.7 Ohm Тип корпуса: TO3P
Транзистор H14NK60ZFP to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H14NK60ZFP to220f

293167
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.