Транзистор 2SK4086 to220f

Транзистор 2SK4086 to220f

Артикул: 292996

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150

8,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
292996

Просмотренные товары

Микросхема КР590КН7
Микросхемы отечественные

Микросхема КР590КН7

260736
3,00 BYN
представляют собой четырехканальный аналоговый ключ со схемой управления, двухполюсное переключение (2DPDT) и предназначены для коммутации цифровых и аналоговых сигналов в системах сбора и обработки информации, АЦП и ЦАП.Совместимы со схемами ТТЛ. Имеют слабую зависимость сопротивления открытого канала от коммутируемого напряжения.Содержат 53...
Микросхема К174ЛП4
Микросхемы отечественные

Микросхема К174ЛП4

283077
0,72 BYN
Микросхемы К176ЛП4, 164ЛП4 состоят из двух трех-входовых элемента ИЛИ-НЕ и одного одно-входового инвертора. Максимальный выходной ток микросхемы К176ЛП4 равен 3 мкА,при температуре Т = 25о С и Uи.п = 9В. Время задержки распространения сигнала равно 200 нс, при температуре Т = 85о С и Uи.п = 9В. Зарубежным аналогом микросхем К176ЛП4 и 164ЛП4 является...
Транзистор IRLI540G
Полевые транзисторы

Транзистор IRLI540G

276534
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания...
Микросхема 159НТ101Б Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 159НТ101Б Ni

299543
9,20 BYN
Микросхемы 159НТ101Б представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).Масса не более 1,3 г.Корпус типа 3101.8-1.Технические условия: АЕЯР.431410.455 ТУ. Предельно допустимые режимы эксплуатации 159НТ101А:- Напряжение коллектор-база .......... 20 В- Напряжение эмиттер-база .......... 4 В- Напряжение между...
Транзистор H12NK90Z to247
Полевые транзисторы

Транзистор H12NK90Z to247

293161
30,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK3053
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3053

304839
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 200 ns Выходная емкость (Cd): 240 pf...
Транзистор IRFB31N20D (B31N20D)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB31N20D (B31N20D)

265440
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 31 A Общий заряд затвора (Qg): 70 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.082 Ohm Тип...
Транзистор 2SK2414
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2414

304790
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 24 nC Время нарастания (tr): 90 ns...
Транзистор TK8A65D
Полевые транзисторы

Транзистор TK8A65D

276747
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор TK18A50D sc67
Полевые транзисторы

Транзистор TK18A50D sc67

293437
9,20 BYN
Наименование прибора: TK18A50D Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура...
Транзистор SUM45N25-58 d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор SUM45N25-58 d2pak (to263)

293428
11,00 BYN
Наименование прибора: SUM45N25-58 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура...
Транзистор 2SK2561
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2561

304798
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
Транзистор IGW30N60T
Полевые транзисторы

Транзистор IGW30N60T

305000
13,00 BYN
Маркировка: G30T60 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 187 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...
Транзистор STD10PF06T4
Полевые транзисторы

Транзистор STD10PF06T4

312036
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRFR9120N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR9120N

276481
2,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 18 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор SI2302DS ( A2SHB )
Полевые транзисторы

Транзистор SI2302DS ( A2SHB )

276711
1,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.65 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C...
Транзистор 2SK246GR
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK246GR

304792
2,20 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 650 Ohm Тип корпуса: TO92
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.