Транзистор 50N60H3 (K50H603)

Транзистор 50N60H3 (K50H603)

Артикул: 276030

Корпус TO-247
Вес 8 г
IGBT 50A,600V_с диодом_with diode
Напряжение, V: 600
IGBT с диодом: С диодом
Ток, A: 50

21,76 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276030
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 134ИП2 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 134ИП2 Au

299375
4,80 BYN
134ИП2 - это цифровая микросхема технологии ТТЛ 134-ей серии, являются транзисторно матлогикой с функционалом маломощная восьмиразрядная схема контроля четности и нечетности и используются в РЭА в большой области эксплуатации. Микросхемы изготовлены в керамометаллическом корпусе и выпускаются в корпусе 401.14-1. Модель изделия наносится на металлической...
View
Микросхема 318НР4В
Микросхемы отечественные

Микросхема 318НР4В

300016
5,40 BYN
микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы предназначаются для...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H19NM50 to247
Полевые транзисторы

Транзистор H19NM50 to247

293176
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRL5602S
Полевые транзисторы

Транзистор IRL5602S

276532
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор IPA60R280E6
Полевые транзисторы

Транзистор IPA60R280E6

311928
13,00 BYN
Маркировка: 6R280E6 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.8 A Максимальная температура канала...
View
Транзистор RFD3055LE
Полевые транзисторы

Транзистор RFD3055LE

312027
4,60 BYN
Маркировка: F3055L Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A Максимальная температура канала (Tj): 175...
View
Транзистор 2SK2746
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2746

304818
20,40 BYN
Маркировка: K2746 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
View
Транзистор 3NC90ZPF
Полевые транзисторы

Транзистор 3NC90ZPF

275998
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор AP4563GH
Полевые транзисторы

Транзистор AP4563GH

276205
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.13 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор FDMC6675BZ
Полевые транзисторы

Транзистор FDMC6675BZ

311879
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор AO3413 (A1T)
Полевые транзисторы

Транзистор AO3413 (A1T)

276131
1,04 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор TK20J60U
Полевые транзисторы

Транзистор TK20J60U

276737
17,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.