Транзистор 50N60H3 (K50H603)

Транзистор 50N60H3 (K50H603)

Артикул: 276030

Корпус TO-247
Вес 8 г
IGBT 50A,600V_с диодом_with diode
Напряжение, V: 600
IGBT с диодом: С диодом
Ток, A: 50

21,76 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276030
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)
Транзисторы IGBT

Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)

293379
10,00 BYN
Наименование: SGB10N60A Маркировка: G10N60A Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 92W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Корпус: D2PAK(TO263)
View
Транзистор GW20N60HS to247
Транзисторы IGBT

Транзистор GW20N60HS to247

293148
32,80 BYN
Маркировка: G20N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 178W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 36A
View
Микросхема 1505ЛБ2Б Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1505ЛБ2Б Au

299629
8,60 BYN
представляет собой 2х4И-НЕ/4ИЛИ-НЕ и инвертор.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в прямоугольном металлокерамическом корпусе для монтажа на печатную плату.Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.Тип корпуса: 402.16-33.Категория качества: ВП, ОСМ.Технические условия:  -...
View
Микросхема 556РТ5 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 556РТ5 Ni

300213
4,80 BYN
интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ) микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 4096бит (512х8) с открытым коллектором. Микросхемы выполнены в металлокерамическом корпусе 4118.24-1 с гибкими выводами. Тип прибора...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 6NK70ZF
Полевые транзисторы

Транзистор 6NK70ZF

276079
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор AO4936
Полевые транзисторы

Транзистор AO4936

293018
12,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BUZ102 S
Полевые транзисторы

Транзистор BUZ102 S

276293
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор AF4835
Полевые транзисторы

Транзистор AF4835

293006
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018...
View
Транзистор 26NM60N
Полевые транзисторы

Транзистор 26NM60N

275971
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRF7201
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7201

276391
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.