Транзистор 50N60H3 (K50H603)

Транзистор 50N60H3 (K50H603)

Артикул: 276030

Корпус TO-247
Вес 8 г
IGBT 50A,600V_с диодом_with diode
Напряжение, V: 600
IGBT с диодом: С диодом
Ток, A: 50

21,76 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276030
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 5N60C
Полевые транзисторы

Транзистор 5N60C

276044
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1357
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1357

304720
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 60 nC Время нарастания (tr): 18...
Транзистор 26NM60N (STW26NM60N)
Полевые транзисторы

Транзистор 26NM60N (STW26NM60N)

265406
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор BU808DFX
Каталог

Транзистор BU808DFX

313914
30,00 BYN
Высоковольтный, силовой NPN составной транзистор (Дарлингтона) BU808DFX с высокой скоростью переключения. Применяется в выходном каскаде строчной развёртки цветных телевизоров. Основные параметры BU808DFX Структура: NPN. Максимально допустимый ток коллектора (I C): 8A. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V CEO): 700V. Статический коэффициент...
Транзистор 70NF03
Полевые транзисторы

Транзистор 70NF03

312580
3,68 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 18 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор Si4431DY
Полевые транзисторы

Транзистор Si4431DY

293385
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор R5016ANX
Полевые транзисторы

Транзистор R5016ANX

276680
14,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 6NK70ZF
Полевые транзисторы

Транзистор 6NK70ZF

276079
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K3469
Полевые транзисторы

Транзистор K3469

276629
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 30 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор APM2030N
Полевые транзисторы

Транзистор APM2030N

276246
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRFB3806
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB3806

311956
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 43 A Общий заряд затвора (Qg): 22 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0158 Ohm Тип...
Транзистор 2SK1626
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1626

304742
18,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 160 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.