ЭЛЕКТРОМАТЕРИАЛЫ: Стеклотекстолит,Ф4д трубки,термостойкие материал Стеклотекстолит FR-4 3,0 х 300 х 340 мм 271728 113,20 BYN В корзину
Полевые транзисторы Транзистор IRFPS40N50L to247 293279 37,60 BYN Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 540 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 46 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд... В корзину
Полевые транзисторы Транзистор FSBB20CH60F 276360 133,64 BYN IC SMART POWER MOD 20A SPM27-CA В корзину
Полевые транзисторы Транзистор FDS8878 276343 1,96 BYN Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд... В корзину
Полевые транзисторы Транзистор AO3413 (A1T) 276131 1,04 BYN Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания... В корзину
Полевые транзисторы Транзистор AO4805 276160 5,00 BYN Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания... В корзину
Полевые транзисторы Транзистор 2SK301 304833 10,80 BYN Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 400... В корзину
Полевые транзисторы Транзистор IRF7306 276394 6,52 BYN Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.6 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.16 Ohm Тип корпуса: SO8 В корзину
Полевые транзисторы Транзистор 2SJ74GR 304688 8,60 BYN Тип транзистора: JFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 125 Ohm Тип корпуса: TO92 В корзину
Полевые транзисторы Транзистор 7N60B 276088 7,00 BYN Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 115 pf... В корзину
Полевые транзисторы Транзистор FDS8962 276348 3,40 BYN Корпус SO-8Вес 0,2 гN & P-Ch(N-Ch 7.0A, 30V 2W)(P-Ch -5A, -30V2W) В корзину
Полевые транзисторы Транзистор 2SK2937 304828 11,40 BYN Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 160 ns Выходная емкость (Cd): 380 pf... В корзину
Полевые транзисторы Транзистор 2SK118GR 304706 6,40 BYN Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.0065 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 800 Ohm В корзину
Полевые транзисторы Транзистор AOD403 276164 4,40 BYN Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 70 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд... В корзину
Полевые транзисторы Транзистор IRL3705NS 276524 19,00 BYN Корпус D2-PAK-3Вес 1,5 гN-Channel 89A 55V 170W В корзину