Транзисторы импортные

Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1191

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 2500 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm

Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1192

304707

47,40 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1198

304708

7,60 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10 ns Выходная емкость (Cd): 350 pf...

Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1202

304709

9,80 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 110 ns Сопротивление сток-исток...

Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1213

304710

15,20 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Сопротивление сток-исток...

Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1217

304711

33,60 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 230 ns Сопротивление сток-исток...

Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1221

304712

15,20 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1248

304713

37,80 BYN

Маркировка: K1248 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время включения (ton): 70 ns Выходная...

Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1257

304714

28,60 BYN

N-channel Power F-MOS FET

Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1271

311821

96,60 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 125 nC Время нарастания (tr): 30...

Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1284

292953

11,60 BYN

Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 55 ns Выходная емкость (Cd): 160 pf Сопротивление сток-исток...

Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1286

304715

18,40 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 30 nC Время нарастания (tr): 160...

Показано 1801-1812 из 5750