Микросхема 159НТ101В Au ОСМ
Микросхема 159НТ101В является дифференциальной парой и включает в себя два согласованных по характеристикам npn транзистора. Транзисторы максимально отделены друг от друга диэлектрической изоляцией и в схеме применения не требуют специального смещения для разделения. Расположение транзисторов на одном кристалле обеспечивает максимальную идентичность характеристик транзисторов, в том числе и на высоких частотах. Наиболее типичное применение такие пары транзисторов находят во входных цепях операционных усилителей. Дифференциальные пары серии 1129 отличаются повышенной радиационной стойкостью.
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
Важнейшие характеристики:
• Малый ток утечки между транзисторами (10 нА)
• Большой выбор статических коэффициентов передачи тока
• Малые отличия статических коэффициентов передачи тока (отношение не менее 0.9)
• Малая разность напряжений эмиттер-база (не более 3 мВ)
Подробные характеристики:
Обратный ток коллектора, nA 20
Обратный ток эмиттера, nA 50
Ток колл.- эмитт. закрытого транзистора, nA 50
Ток утечки между транзисторами, nA 10
Стат. коэфф. прямой передачи тока >80 Отношение стат. коэфф. прямой передачи тока 0.92
Модуль коэфицента передачи тока, (f=100 mHz) 2.5
Модуль разности напряжений эмиттер-база, mV 3
Ёмкость коллекторного перехода, pF 3
Ёмкость эмиттерного перехода, pF 4
Тип корпуса 3101.8-8.01
Технические условия ХМЗ.456.014ТУ
Корпус Au, Ni
Аналог SA2713