Микросхема ZDT6790TA

Описание

Semiconductors

Dual NPN/PNP Transistors, Diodes Inc

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.75 V

Максимальная рабочая температура +150 °C

Максимальная рабочая частота 150 MHz

Количество элементов на ИС 2

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1 В

Длина 6.7мм

Максимальное напряжение коллектор-база 45 В

Transistor Configuration Изолированный

Производитель DiodesZetex

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 40 В, 45 В

Тип корпуса SM

Максимальное рассеяние мощности 2.75 W

Тип монтажа Surface Mount

Минимальная рабочая температура -55 °C

Ширина 3.7мм

Максимальный пост. ток коллектора 2 A

Тип транзистора NPN, PNP

Высота 1.6мм

Число контактов 8

Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В

Размеры 1.6 x 6.7 x 3.7мм

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 150

Pd - рассеивание мощности 2.75 W

Вид монтажа SMD/SMT

Высота 1.6 mm (Max)

Длина 6.7 mm (Max)

Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 500 at 100 mA at 2 V at NPN, 400 at 1 A at 2 V at

Конфигурация Dual

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 500

Максимальная рабочая температура + 150 C

Максимальный постоянный ток коллектора 2 A

Минимальная рабочая температура 55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO) 45 V, 50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V, 40 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Непрерывный коллекторный ток 2 A

Подкатегория Transistors

Полярность транзистора NPN, PNP

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz