Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3198

274106

0,52 BYN

NPN 60V, 0.15A, 0.4W, 130MHz

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3199

264752

0,52 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3200

274107

1,00 BYN

NPN transistor_120v_100Ma

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3202

264753

0,60 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3203

264754

0,92 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3205

264755

0,80 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3206

275359

3,52 BYN

Корпус TO-92SВес 0,4 гSi-N 200V, 50mA, 0.8W, 120MHz

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3206Y

303683

6,40 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25 Корпус...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3207

264666

2,52 BYN

NPN 300V, 0.1A, 1W, 50MHz

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3209

303685

5,40 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3216Y

303687

5,40 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3225Y

303689

2,80 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3228

303691

2,20 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30 Корпус...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3228

275360

0,80 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3229

303692

4,40 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 95 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3229

275361

2,16 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3242

303693

1,60 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3246

303697

1,60 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3247

303698

3,80 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3255

303747

14,00 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3258

303748

5,40 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3261

260133

5,20 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3263

292834

18,00 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3264

303749

43,60 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Показано 745-768 из 2628